DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO :

• EL 1N5822 ES UN DIODO SCHOTTKY DE ALTA VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN Y BAJA CAÍDA

 DE TENSIÓN DIRECTA. IDEAL PARA APLICACIONES DE ALTA EFICIENCIA, COMO FUENTES

 CONMUTADAS (SMPS), CONVERTIDORES DC-DC, Y PROTECCIÓN CONTRA INVERSIÓN DE

 POLARIDAD. SU CARACTERÍSTICA PRINCIPAL ES SU CAÍDA DE TENSIÓN DIRECTA MUCHO

 MENOR (~0.5 V) COMPARADO CON LOS DIODOS DE SILICIO TRADICIONALES (~0.7-1.1 V).

CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS PRINCIPALES :

• PARÁMETRO : VALOR

• TIPO SCHOTTKY RECTIFICADOR

• CORRIENTE DIRECTA MÁXIMA (IF) : 3 A

• TENSIÓN INVERSA MÁXIMA (VRRM) : 40 V

• CORRIENTE DE PICO (IFSM) : 80 A (8.3 MS MEDIA ONDA)

• CAÍDA DE TENSIÓN DIRECTA (VF) : ~0.5 V A 3 A

• TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA : MUY RÁPIDO (NANOSEGUNDOS)

• TIPO DE ENCAPSULADO : DO-201AD (AXIAL, THT)

• TEMPERATURA DE OPERACIÓN : -65°C A +150°C

APLICACIONES COMUNES :

• CONVERTIDORES DC-DC STEP-DOWN (BUCK).

• FUENTES CONMUTADAS (SMPS).

• CARGADORES DE BATERÍA DE BAJO VOLTAJE.

• PROTECCIÓN CONTRA INVERSIÓN DE POLARIDAD.

• SISTEMAS DE ENERGÍA SOLAR O PORTÁTIL DONDE LA EFICIENCIA ES CLAVE.

VENTAJAS : 

• BAJA CAÍDA DE TENSIÓN DIRECTA → MENOR DISIPACIÓN DE CALOR.

• ALTA EFICIENCIA ENERGÉTICA EN CIRCUITOS DE BAJA TENSIÓN.

• ALTA VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN → IDEAL PARA FRECUENCIAS ELEVADAS.

• MUY UTILIZADO, ECONÓMICO Y DISPONIBLE EN FORMATO AXIAL.